Case-to-Sink, Flat, Greased Surface. V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO- 220AB package. This is a calculated value limited to TJ = 175°C. When mounted on square PCB ( FR-or G-Material).

Browse our latest mosfet-transistors offers.

Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Максимальное напряжение сток-исток: 1В. Основные параметры и характеристики. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well . Тип корпуса: TO-220AB Производитель: INFIN Перейти в группу Транзистор IR MOSFET N-Канал.

Есть на складе в Харькове. Этот товар есть на складе в Харькове.

Mine: navigeerimiskast, otsi. Большой выбор MOSFET, полевых транзисторов. Приятные цены, скидки на импортные транзисторы, радиодетали. Current Rating: 57A Rds (On): 23m OHM Voltage Rated: 100V.

MODEL MDD IS=1e-N=0. Transistor, Field Effect, N-Channel, Power, 100V, 46A, Pkg Style TO-220AB Количеств. Nell High Power Products.

They are designe tested and guaranteed to withstand level of energy in breakdown avalanche made of operation. Manufacturer, International Rectifier. Other, N Channel POWER MOSFET.

Опытные специалисты нашей компании. Thousands of discounted electronic components in stock. No lead time, ship out right away! Váš dodavatel elektronických součástek! Radiokomunikace – stavby na klíč.

Síť prodejen po celé ČR a mezinárodní e-shop.

Available schematic symbol, footprint and datasheet specification. View datasheets, check stock and pricing, and search for MOSFET. Магазин №(розница, безнал).