V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package. Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to.

You may have misunderstood the parameter Vgsth To turn on Vs – Vg needs to be comfortably greater in magnitude than Vgsth. Your available Vgs max is -3.

V before it considers getting out of bed and would . Learn more about Major Brands. Te gebruiken in diverse toepassingen. Основные параметры и характеристики. Быстрая доставка почтой в любой регион России.

The low thermal resistance and low package cost of the TO-2contribute to its wide acceptance throughout the industry. Read about company and get contact details and address. Возможно забрать из офиса сегодня до 20:00.

Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Начал искать сам — нашёл достаточно много P-канальных MOSFET транзисторов в различных корпусах. Переписал их на бумажку и . Browse our latest mosfet-transistors offers.

This device comes in TO-2package and rated for -100V and -23A with very low RDS(ON)=0. It has fast switching capability. VDSS = -100V RDS(on) = 0. Footprint Package: TO220.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, 0. Максимальное напряжение сток-исток. Доставка товаров из​ Польских магазинов​ в Калининград, по России и СНГ. Rds(on) Test Voltage, Vgs: -10V . Kierunek przewodnictwa, P-MOSFET. Napięcie dren-źródło, 100V.

Rezystancja w stanie przewodzenia, 117mOhm. Montaż, przewlekany (THT). Właściwości półprzewodników, HEXFET.

Producent, International Rectifier. Opakowanie, nieokreślone. Free delivery on eligible orders of £or more. We will send you a new replacement after receiving the defective item.